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各国政党政要持续祝贺习近平当选中共中央总书记******

　　新华社北京10月26日电 近日，各国政党政要持续致电或致函，热烈祝贺习近平当选中国共产党第二十届中央委员会总书记。

　　柬埔寨国王诺罗敦·西哈莫尼表示，我谨代表莫尼列太后、柬埔寨王室和柬埔寨人民，对您当选中共中央总书记致以最诚挚、最热烈的祝贺，坚信您将更好团结带领全党全国各族人民推进全面建设社会主义现代化国家事业，以中国式现代化顺利实现中华民族伟大复兴。期待同您一道，传承柬中传统友谊，推动柬中命运共同体建设，更好造福两国和两国人民。

　　塞拉利昂人民党领袖、总统比奥表示，欣悉您再次当选中共中央总书记，谨致衷心祝贺。在您的坚强领导下，中国过去10年取得举世瞩目成就。相信中共二十大将为塞中全面战略合作伙伴关系开启新篇章。

　　坦桑尼亚革命党主席、总统哈桑表示，祝贺您再次当选中共中央总书记，这充分体现了中国人民对您的信任和信心。祝您在领导国家、服务人民事业中取得更大成功。

　　乌干达全国抵抗运动主席、总统穆塞韦尼表示，热烈祝贺您再次当选中共中央总书记。期待同您携手努力，不断推动两国共同发展和繁荣，造福两国人民。

　　尼加拉瓜桑地诺民族解放阵线总书记、总统奥尔特加和副总统穆里略表示，祝贺您再次当选中共中央总书记，中国正迈向第二个百年奋斗目标新征程。尼方愿同中方共同努力，推动人类社会不断进步，建设更加美好的世界。

　　科威特埃米尔纳瓦夫表示，在您的领导下，中国在各领域取得突出发展成就。我十分珍视科中两国传统友谊，相信科中战略伙伴关系将取得更大发展。

　　尼泊尔总统班达里表示，相信在您的领导下，中国将朝着全面建成社会主义现代化强国的第二个百年奋斗目标迈出更大步伐。祝愿中华民族伟大复兴愿景早日实现。期待尼中友好合作迈上新台阶。

　　科摩罗总统阿扎利表示，欣闻您再次当选中共中央总书记，科摩罗政府和人民以及我本人谨向您致以诚挚和热烈的祝贺。坚信您将带领中国继续走向繁荣，并在国际舞台发挥更加重要的作用。

　　苏丹主权委员会主席布尔汉表示，诚挚祝贺您再次当选中共中央总书记。祝您在这一崇高岗位上成功、顺遂，祝愿友好的中国人民在您的领导下不断实现进步与繁荣。

　　多米尼克工党领袖、政府总理斯凯里特表示，在您的领导下，中国取得了历史性成就。您再次当选中共中央总书记，表明中国共产党和中国人民对您的高度拥护。期待中国共产党在全球事务中发挥更大作用。

　　瓦努阿图瓦库党主席、政府总理拉夫曼表示，坚信中国共产党将坚定不移地带领中国人民实现高质量发展与全面现代化。我愿同您一道，推动两党友好互利关系再上新台阶。

　　印度尼西亚民主斗争党总主席、前总统梅加瓦蒂表示，我们期待中国在国际舞台发挥更大作用，共同推动建立和平、公正的国际秩序。

　　斯洛伐克方向党主席、前政府总理菲佐表示，在中共中央坚强领导下，中国在经济发展、人民生活水平提高等方面取得重大成就，中国日益成为国际舞台上备受尊敬的重要力量。

　　克罗地亚前总统梅西奇表示，祝贺您再次当选中共中央总书记，相信您将继续带领中国取得更大发展，并在维护世界和平、促进共同发展方面发挥重要作用。

　　斯洛文尼亚前总统图尔克表示，高度钦佩您的远见卓识和坚强领导，祝愿您带领中国不断取得新发展，为推动世界和平与发展作出更大贡献。

　　摩尔多瓦社会主义者党执行书记、副议长巴特雷恩察表示，习近平新时代中国特色社会主义思想不仅在中国历史上具有划时代意义，也为人类文明进程作出了重要贡献。

　　阿根廷众议院副议长希奥哈表示，您带领中国共产党推动中国在各领域取得巨大发展成就，成为各国政党学习的典范。坚信中国共产党必将继续沿着中国特色社会主义道路，向实现第二个百年奋斗目标奋勇前进。

　　此外，发来贺电贺函的还有蒙古人民党总书记、政府办公厅主任阿玛尔巴伊斯格楞，巴勒斯坦人民斗争阵线总书记、政府社会发展部部长马吉达拉尼，苏丹正义与平等运动主席、政府财政和经济规划部长吉布里勒，捷克和摩拉维亚共产党主席、欧洲议会议员科内奇纳，摩尔多瓦共产党人党主席、前总统沃罗宁，斐济人民联盟党领袖、前政府总理兰布卡，萨摩亚人权保护党领袖、前政府总理图伊拉埃帕，智利前总统弗雷，罗马尼亚蒂图列斯库欧洲基金会主席、前政府总理阿德里安·讷斯塔塞，吉尔吉斯斯坦“信任”党议会党团主席奥尔莫诺夫，土库曼斯坦工业企业家党主席奥夫甘诺夫，阿尔及利亚尊严党主席达维，土耳其爱国党主席佩林切克，保加利亚社会党主席妮诺娃，加拿大共产党领袖罗利，基里巴斯关爱基里巴斯党主席阿坦尼博拉，巴勒斯坦民主联盟总书记拉法特，埃及共产党总书记萨拉赫，秘鲁争取进步联盟总书记巴尔德斯，白俄罗斯共产党中央委员会第一书记索科尔，伊朗确定国家利益委员会秘书长祖尔加德尔，澳大利亚公民党全国书记伊舍伍德，巴西国会巴中议员阵线主席皮纳托等。

多光子非线性量子干涉首次实现 为新型量子态制备等应用奠定基础******

　　科技日报合肥1月16日电 (记者吴长锋)记者16日从中国科学技术大学获悉，该校郭光灿院士团队任希锋研究组与国外同行合作，基于光量子集成芯片，在国际上首次展示了四光子非线性产生过程的干涉。相关成果日前发表在光学权威学术期刊《光学》上。

　　量子干涉是众多量子应用的基础，特别是近年来基于路径不可区分性产生的非线性干涉过程越来越引起人们的关注。尽管双光子非线性干涉过程已经实现了20多年，并且在许多新兴量子技术中得到应用，直到2017年，人们才在理论上将该现象扩展到多光子过程，但实验上由于需要极高的相位稳定性和路径重合性，一直未获得新进展。光量子集成芯片，以其极高的相位稳定性和可重构性逐渐发展成为展示新型量子应用、开发新型量子器件的理想平台，也为多光子非线性干涉研究提供了实现的可能性。

　　任希锋研究组长期致力于硅基光量子集成芯片开发及相关应用研究并取得系列重要进展。在前工作基础上，研究组通过进一步将多光子量子光源模块、滤波模块和延时模块等结构片上级联，在国际上首次展示了四光子非线性产生过程的相干相长、相消过程，其四光子干涉可见度为0.78。而双光子符合并未观测到随相位的明显变化，这同理论预期一致。整个实验在一个尺寸仅为3.8×0.8平方毫米的硅基集成光子芯片上完成。

　　这一成果成功地将两光子非线性干涉过程扩展到多光子过程，为新型量子态制备、远程量子计量以及新的非局域多光子干涉效应观测等应用奠定了基础。审稿人一致认为这是一个重要的研究工作，并给出了高度评价：该芯片设计精良，包含多种集成光学元件，如纠缠光子源、干涉仪、频率滤波器/组合器；这项工作推动了集成光子量子信息科学与技术研究领域的发展。

　　（文图：赵筱尘 巫邓炎）